型号:

GNM1M2R60J105ME12D

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Murata Electronics North America描述:CAP ARRAY 2CH 1UF 6.3V 0504
详细参数
数值
产品分类 电容器 >> 继电器
GNM1M2R60J105ME12D PDF
产品目录绘图 GNM Series_0504_0.8
标准包装 10
系列 GNM
电容 1.0µF
电压 - 额定 6.3V
电介质材料 陶瓷
电容器数量 2
电路类型 隔离
温度系数 X5R
容差 ±20%
安装类型 表面贴装
封装/外壳 0504(1210 公制)
尺寸/尺寸 0.054" L x 0.039" W(1.37mm x 1.00mm)
高度 - 座高(最大) 0.031"(0.80mm)
包装 标准包装
产品目录页面 2152 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 490-3406-6
相关参数
OT355,127 NXP Semiconductors THYRISTOR GP SOT78
8168S1H9AV2BE1 C&K Components SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
BT136-600E/02,127 NXP Semiconductors TRIAC 600V 4A TO-220AB
SG-8002DB-MPT EPSON OSCILLATOR CMOS PROG 5V ST
GNM1M2R60J105ME12D Murata Electronics North America CAP ARRAY 2CH 1UF 6.3V 0504
GNM1M2R60J105ME12D Murata Electronics North America CAP ARRAY 2CH 1UF 6.3V 0504
Z00607MA,412 NXP Semiconductors TRIAC 600V 80MA TO-92
GNM1M2R61A105ME14D Murata Electronics North America CAP ARRAY 2CH 1UF 10V 0504
BT1308-600D,412 NXP Semiconductors TRIAC 600V 0.8A SOT54
GNM1M2R61A105ME14D Murata Electronics North America CAP ARRAY 2CH 1UF 10V 0504
N1030 30 APM Hexseal BOOT FULL TOGGLE 15/32-32 YEL
BT1308-400D,412 NXP Semiconductors TRIAC 400V 0.8A SOT54
SG-8002DB-MPT EPSON OSCILLATOR TTL PROG 5V 0E
04023J4R5ABWTR AVX Corporation CAP THIN FILM 4.5PF 25V 0402
SG-8002DB-MPT EPSON OSCILLATOR CMOS PROG 5V 0E
SG-8002DB-MPT EPSON OSCILLATOR CMOS PROG 3.3V 0E
N5045 12 APM Hexseal PUSH BUTTON THRDING 8-4NOS BLACK
PMN35EN,125 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
GNM1M2R61A105ME14D Murata Electronics North America CAP ARRAY 2CH 1UF 10V 0504
SG-8002DB-MPT EPSON OSCILLATOR CMOS PROG 3.3V ST